--- 产品详情 ---
采用 5mm x 2.5mm LGA 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET? 功率 MOSFET
VGS (V) | 20 |
VDS (V) | 30 |
Power loss (W) | 2.1 |
Ploss current (A) | 15 |
ID - continuous drain current at Ta=25degC (A) | 25 |
Operating temperature range (C) | -55 to 150 |
Features | Power supply |
Duty cycle (%) | Low |
此 CSD87588N NexFET 电源块 II 是针对同步降压应用的高度优化设计,能够在 5 mm × 2.5mm 的小外形尺寸封装内提供大电流和高效率。 针对 5V 栅极驱动应用进行了优化,这款产品可提供高效且灵活的解决方案,在与外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动器成对使用时,均可提一个供高密度电源。
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