--- 产品详情 ---
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
VDS (V) | 30 |
Configuration | Single |
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 1.8 |
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) | 1.4 |
IDM - pulsed drain current (Max) (A) | 400 |
QG typ (nC) | 28.5 |
QGD typ (nC) | 6.9 |
QGS typ (nC) | 10.7 |
Package (mm) | SON5x6 |
VGS (V) | 20 |
VGSTH typ (V) | 1.4 |
ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 215 |
ID - package limited (A) | 100 |
Logic level | Yes |
此 30V、1.2mΩ、5mm × 6mm NexFET?功率 MOSFET 旨在最大限度地减小同步整流和其他功率转换应用中的 损耗。
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