采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
。最大 RθJC = 1.2°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
| VDS (V) | 30 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 1.5 |
| Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) | 1.15 |
| IDM - pulsed drain current (Max) (A) | 400 |
| QG typ (nC) | 39 |
| QGD typ (nC) | 9.3 |
| QGS typ (nC) | 14.4 |
| Package (mm) | SON5x6 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (V) | 1.4 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 257 |
| ID - package limited (A) | 100 |
| Logic level | Yes |
- 极低电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
应用范围
- 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
- 同步整流
- 有源或操作 (ORing) 和热插拔应用
这款 30V，0.95mΩ，5mm × 6mm SON 封装 NexFET 功率 MOSFET 设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。
顶视图 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W，这是在厚度为 0.06 英寸 (1.52 mm) 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 (6.45 cm2)，2 盎司（厚度为 0.071 mm）的铜过渡垫片上测得的典型值。最大 RθJC = 1.2°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
