采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、38mΩ、30V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | 30 |
| Configuration | Dual Common Source |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 38 |
| IDM - pulsed drain current (Max) (A) | 45 |
| QG typ (nC) | 6.3 |
| QGD typ (nC) | 0.7 |
| QGS typ (nC) | 1.9 |
| Package (mm) | SON3x3 |
| VGS (V) | 10 |
| VGSTH typ (V) | 1 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 27 |
| ID - package limited (A) | 27 |
| Logic level | Yes |
CSD87312Q3E 是一款设计用于适配器 / USB 输入保护的 30V 共源、双路 N 通道器件。 此类 SON 3.3mm x 3.3mm 器件有低漏极到漏极导通电阻，这大大减少了损耗并且为空间受限的多节电池充电类应用提供低组件数量。
R=63°C/W，这是在厚度为 0.060" 的环氧板印刷电路板 (FR4PCB) 上 1 in2（2 盎司）铜过渡垫片上测得的典型值脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2% 。
