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TIMOSFETCSD18502KCS

华秋商城 MOSFET

--- 产品详情 ---

采用 TO-220 封装的单路、2.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
VDS (V) 40
Configuration Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 4.3
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 2.9
IDM - pulsed drain current (Max) (A) 400
QG typ (nC) 52
QGD typ (nC) 8.4
QGS typ (nC) 10.3
Package (mm) TO-220
VGS (V) 20
VGSTH typ (V) 1.8
ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 212
ID - package limited (A) 100
Logic level Yes
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 晶体管 (TO)-220 塑料封装

应用范围

  • 直流 - 直流转换
  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

这款 2.4mΩ，40V，TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 最大 RθJC = 0.6oC/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比
≤ 1%

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