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TIMOSFETCSD17553Q5A

华秋商城 MOSFET

--- 产品详情 ---

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
VDS (V) 30
Configuration Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 4
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 3.1
IDM - pulsed drain current (Max) (A) 151
QG typ (nC) 17.5
QGD typ (nC) 4.7
QGS typ (nC) 5.8
Package (mm) SON5x6
VGS (V) 20
VGSTH typ (V) 1.5
ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 100
ID - package limited (A) 100
Logic level Yes

NexFET? 功率 MOSFET 被设计用于大大减少功率转换应用中的功率损失。

顶视图 RθJA= 40.5°C/W，这是在一个厚度为 0.06 英寸 (1.52mm) 的 FR4 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2(6.45cm2)，
2 盎司（厚度 0.071mm）的铜过渡垫片上测得的典型值。脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%

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