采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、-20V、P 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | -20 |
| VGS (V) | -6 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 33 |
| Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) | 44 |
| Id peak (Max) (A) | -9.5 |
| Id max cont (A) | -3.2 |
| QG typ (nC) | 3.4 |
| QGD typ (nC) | 0.2 |
| QGS typ (nC) | 1.1 |
| VGSTH typ (V) | -0.8 |
| Package (mm) | WLP 1.0x1.5 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 3.2 |
| Logic level | Yes |
- 超低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 1.0mm × 1.5mm 小尺寸封装
- 超薄型，高 0.62mm
- 无铅
- 栅源电压钳位
- 栅极 ESD 保护 - 3kV
- 符合 RoHS
- 无卤素
此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。
