--- 产品详情 ---
抗辐射、1.6V 至 5.5V 输入、1.25A 负载开关
Number of channels (#) | 1 |
Vin (Min) (V) | 1.6 |
Vin (Max) (V) | 5.5 |
Imax (A) | 1.25 |
Ron (Typ) (mOhm) | 90 |
Shutdown current (ISD) (Typ) (uA) | 0.002 |
Quiescent current (Iq) (Typ) (uA) | 8 |
Soft start | Fixed Rise Time |
Rise time (Typ) (us) | 1280 |
Current limit type | Fixed |
Features | Quick output discharge, Short circuit protection, Thermal shutdown |
Operating temperature range (C) | -55 to 125 |
- 提供供应商项目图,VID V62/22609
- 电离辐射总剂量 (TID) 为 30krad(Si)
- 每个晶圆批次的 TID RLAT(辐射批次验收测试):20krad (Si)
- 确定了单粒子效应 (SEE)
- 单粒子闩锁 (SEL)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于有效线性能量传递 (LETEFF) 的抗扰度为 43MeV–cm2/mg。
- 单粒子瞬变 (SET) 和单粒子功能中断 (SEFI) 对于 LETEFF 的额定抗扰度为 43MeV–cm2/mg。
- 输入电压范围 (VIN):1.6 至 5.5V
- 建议持续电流 (IMAX):1.25A
- 导通电阻 (RON)
- VIN = 5V 时典型值为 116m?
- VIN = 3.3V 时典型值为 115m?
- VIN = 1.8V 时典型值为 133m?
- 输出短路保护 (ISC):3A(典型值)
- 低功耗:
- 导通状态 (IQ):8.3μA(典型值)
- 关闭状态 (ISD):3nA(典型值)
- 可限制浪涌电流的慢速导通时序 (tON):
- 5V 时的 tON:3.61mV/μs 下为 1.68ms
- 3.3V 时的 tON:2.91mV/μs 下为 1.51ms
- 1.8V 时的 tON:2.15mV/μs 下为 1.32ms
- 可调节输出放电和下降时间:
- VIN = 3.3V 时内部 QOD 电阻= 9.2Ω(典型值)
- 增强型航天塑料 (SEP)
- 受控基线
- 金键合线
- NiPdAu 铅涂层
- 一个组装和测试基地
- 一个制造基地
- 军用级(-55°C 到 125°C)温度范围
- 延长了产品生命周期
- 延长了产品变更通知 (PCN)
- 产品可追溯性
- 采用增强型塑封实现低释气
TPS7H2221-SEP 器件是一款压摆率可控的小型单通道负载开关。此器件包含一个可在 1.6V 至 5.5V 输入电压范围内运行的 N 沟道 MOSFET,并且支持 1.25A 的最大持续电流。
开关导通状态由数字输入控制,此输入可与低压控制信号直接连接。首次加电时,此器件使用智能下拉电阻来保持 ON 引脚不悬空,直到系统定序完成。按计划将该引脚驱动为高电平 (VON>VIH) 之后,便会断开智能下拉电阻,以防止不必要的功率损耗。
TPS7H2221-SEP 负载开关也具有自保护特性,因此可保护自己免受输出短路事件的影响。
TPS7H2221-SEP 采用标准 SC-70 封装,工作环境温度范围为 -55°C 至 125°C。
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