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TI电源开关TPS7H2221-SEP

--- 产品详情 ---

抗辐射、1.6V 至 5.5V 输入、1.25A 负载开关
Number of channels (#) 1
Vin (Min) (V) 1.6
Vin (Max) (V) 5.5
Imax (A) 1.25
Ron (Typ) (mOhm) 90
Shutdown current (ISD) (Typ) (uA) 0.002
Quiescent current (Iq) (Typ) (uA) 8
Soft start Fixed Rise Time
Rise time (Typ) (us) 1280
Current limit type Fixed
Features Quick output discharge, Short circuit protection, Thermal shutdown
Operating temperature range (C) -55 to 125
  • 提供供应商项目图,VID V62/22609
  • 电离辐射总剂量 (TID) 为 30krad(Si)
    • 每个晶圆批次的 TID RLAT(辐射批次验收测试):20krad (Si)
  • 确定了单粒子效应 (SEE)
    • 单粒子闩锁 (SEL)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于有效线性能量传递 (LETEFF) 的抗扰度为 43MeV–cm2/mg。
    • 单粒子瞬变 (SET) 和单粒子功能中断 (SEFI) 对于 LETEFF 的额定抗扰度为 43MeV–cm2/mg。
  • 输入电压范围 (VIN):1.6 至 5.5V
  • 建议持续电流 (IMAX):1.25A
  • 导通电阻 (RON)
    • VIN = 5V 时典型值为 116m?
    • VIN = 3.3V 时典型值为 115m?
    • VIN = 1.8V 时典型值为 133m?
  • 输出短路保护 (ISC):3A(典型值)
  • 低功耗:
    • 导通状态 (IQ):8.3μA(典型值)
    • 关闭状态 (ISD):3nA(典型值)
  • 可限制浪涌电流的慢速导通时序 (tON):
    • 5V 时的 tON:3.61mV/μs 下为 1.68ms
    • 3.3V 时的 tON:2.91mV/μs 下为 1.51ms
    • 1.8V 时的 tON:2.15mV/μs 下为 1.32ms
  • 可调节输出放电和下降时间:
    • VIN = 3.3V 时内部 QOD 电阻= 9.2Ω(典型值)
  • 增强型航天塑料 (SEP)
    • 受控基线
    • 金键合线
    • NiPdAu 铅涂层
    • 一个组装和测试基地
    • 一个制造基地
    • 军用级(-55°C 到 125°C)温度范围
    • 延长了产品生命周期
    • 延长了产品变更通知 (PCN)
    • 产品可追溯性
    • 采用增强型塑封实现低释气

TPS7H2221-SEP 器件是一款压摆率可控的小型单通道负载开关。此器件包含一个可在 1.6V 至 5.5V 输入电压范围内运行的 N 沟道 MOSFET,并且支持 1.25A 的最大持续电流。

开关导通状态由数字输入控制,此输入可与低压控制信号直接连接。首次加电时,此器件使用智能下拉电阻来保持 ON 引脚不悬空,直到系统定序完成。按计划将该引脚驱动为高电平 (VON>VIH) 之后,便会断开智能下拉电阻,以防止不必要的功率损耗。

TPS7H2221-SEP 负载开关也具有自保护特性,因此可保护自己免受输出短路事件的影响。

TPS7H2221-SEP 采用标准 SC-70 封装,工作环境温度范围为 -55°C 至 125°C。

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