具有 2mA 雪崩额定值的汽车类 1200V、50mA 隔离开关
| Isolation rating (Vrms) | 3750 |
| FET | Internal |
| Number of channels (#) | 1 |
| Supply voltage (Min) (V) | 4.5 |
| Supply voltage (Max) (V) | 20 |
| Load voltage (V) | 1200 |
| Imax (A) | 0.05 |
| Features | 2-mA avalanche current, Capacitive isolation, Thermal avalanche protection (TAP) |
| Turn on time (enable) (ns) | 70000 |
| Turn off time (disable) (ns) | 100000 |
| OFF-state leakage current (μA) | 3.5 |
| Rating | Automotive |
TPSI2140-Q1 是一款 隔离式固态继电器，专为高电压汽车和工业应用而设计。 TPSI2140-Q1 与 TI 具有高可靠性的电容隔离技术和内部背对背 MOSFET 整合在一起，形成了一款完全集成式解决方案，无需次级侧电源。
该器件的整个初级侧仅需 7.5mA 的输入电流，支持用户从单个微控制器 GPIO 驱动 VDD 和 EN 引脚，无需光继电器解决方案中的外部低侧开关。此外，用户还可以选择将 VDD 引脚连接到 5V 至 20V 的系统电源并从 GPIO 驱动 EN 引脚。EN 引脚处于失效防护状态，防止 VDD 电源发生反向供电。
次级侧都包含背对背 MOSFET，从 S1 至 S2 的关断电压为 ±1.4kV。 TPSI2140-Q1 MOSFET 的雪崩稳健性和热敏感封装设计使其可以通过系统级高压 (HiPot) 筛选，并且无需任何外部元件即可承受高达 2mA 的直流快速充电器浪涌电流。 TPSI2140T-Q1 器件版本具有 TI 的热雪崩保护 (TAP) 功能，可支持高达 5mA 的雪崩电流。
