具有集成式 FET 的汽车类 1.5V 至 5.5V、1.5A、0.5μA IQ 理想二极管
| Vin (Min) (V) | 1.5 |
| Vin (Max) (V) | 5.5 |
| Number of channels (#) | 1 |
| Features | Enable, Gate ON/OFF control, Power good signal, Reverse current blocking, Reverse polarity protection |
| Iq (Typ) (mA) | 0.00015 |
| Iq (Max) (mA) | 0.0003 |
| FET | Integrated single FET |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| VSense reverse (Typ) (mV) | 46 |
| Design support | EVM |
| Rating | Automotive |
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准：
- 器件温度等级 1：-40°C 至 125°C 环境工作温度范围
- 宽工作电压范围：1.5V 至 5.5V
- VIN 反向关断电压： 绝对最大值为 –6V
- 最大持续电流 (IMAX)：1.5A
- 导通电阻 (RON)：
- 5V VIN = 79mΩ（典型值）
- 3.6V VIN = 91mΩ（典型值）
- 1.8V VIN = 141mΩ（典型值）
- 启用比较器芯片 (CE)
- 通道状态指示 (ST)
- 低电流消耗：
- 3.6V VIN 关断电流 (ISD,VIN)：120nA（典型值）
- 3.6V VIN 静态电流 (IQ, VIN)：150nA（典型值）
LM66100-Q1 是一款单输入单输出 (SISO) 集成式理想二极管，是各种应用的理想之选。该器件包含一个可在 1.5V 至 5.5V 输入电压范围内运行的 P 沟道 MOSFET，并且支持 1.5A 的最大持续电流。
该芯片通过比较 CE 引脚电压和输入电压来提供支持。当 CE 引脚电压高于输入电压时，该器件被禁用并且 MOSFET 关断。当 CE 引脚电压比较低时，MOSFET 开启。LM66100-Q1 还具有反极性保护 (RPP) 功能，可保护器件不受输入接线错误的影响，例如电池装反。
可在 ORing 配置中使用两个 LM66100-Q1 器件，其实施方法与双二极管 ORing 相似。在此配置中，该器件将最高输入电压传递到输出端，同时阻断反向电流流入输入电源。这些器件可比较输入和输出电压，从而确保内部电压比较器成功阻断反向电流。
LM66100-Q1 采用标准 SC-70 封装，工作结温范围为 –40°C 至 150°C。
