具有负载断开和高栅极驱动功能的 3.2V 至 65V 工业 RPP 控制器
| Vin (Min) (V) | 3.2 |
| Vin (Max) (V) | 65 |
| Number of channels (#) | 1 |
| Features | Enable, Inrush current control, Overvoltage protection, Reverse polarity protection |
| Iq (Typ) (mA) | 0.06 |
| Iq (Max) (mA) | 0.11 |
| FET | External single FET |
| IGate source (Typ) (uA) | 60 |
| IGate source (Max) (uA) | 77 |
| IGate sink (Typ) (mA) | 2370 |
| IGate pulsed (Typ) (A) | 2.37 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| IReverse (Typ) (uA) | 100 |
| Design support | EVM |
| Rating | Catalog |
- 3.2V 至 65V 输入范围（3.9V 启动）
- -65V 输入反向电压额定值
- 集成电荷泵用于驱动
- 外部背对背 N 沟道 MOSFET
-
外部高侧开关 MOSFET
-
外部反极性保护 MOSFET
- 栅极驱动器型号
- LM74502：60μA 峰值栅极驱动拉电流能力
- LM74502H：11mA 峰值栅极驱动拉电流能力
- 2.3A 峰值栅极灌电流能力
- 使能引脚特性
- 45μA 典型工作静态电流（EN/UVLO = 高电平）
- 1μA 关断电流（EN/UVLO = 低电平）
- 可调节过压和欠压保护
- –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 采用 8 引脚 SOT-23 封装 2.90mm × 1.60mm
LM74502/LM74502H 控制器与外部背对背连接的 N 沟道 MOSFET 配合工作，可实现低损耗反极性保护和负载断开的解决方案。该器件也可以配置为具有过压保护功能的负载开关，用于驱动高侧 MOSFET。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压（例如，12V、24V 和 48V 输入系统）的控制。该器件可以承受并保护负载免受低至 -65V 的负电源电压的影响。LM74502/LM74502H 没有反向电流阻断功能，仅适用于进行输入反极性保护。
LM74502 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供电荷泵栅极驱动。当使能引脚处于低电平时，控制器关闭，消耗大约 1μA 的电流，从而在进入睡眠模式时提供低系统电流。LM74502 和 LM74502H 还具有可编程的过压和欠压保护功能，可在发生故障时将负载从输入源切断。这些器件采用 2.9mm × 1.6mm 8 引脚 DDF 封装，额定工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。
