具有集成 VDS 钳位的汽车类 3.2V 至 65V 电池反向保护理想二极管控制器
| Vin (Min) (V) | 3.2 |
| Vin (Max) (V) | 65 |
| Number of channels (#) | 1 |
| Features | Automotive load dump compatibility, Enable, Integrated VDS clamp, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection |
| Iq (Typ) (mA) | 0.08 |
| Iq (Max) (mA) | 0.13 |
| FET | External single FET |
| IGate source (Typ) (uA) | 11000 |
| IGate pulsed (Typ) (A) | 2.3 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| VSense reverse (Typ) (mV) | -11 |
| Rating | Automotive |
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
- 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
- 3.2V 至 65V 输入范围（3.9V 启动）
- –33V 反向电压额定值
- 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵
- 20mV 阳极至阴极正向压降调节
- 1μA 关断电流（EN = 低电平）
- 80μA 工作静态电流（EN = 高电平）
- 2A 峰值栅极关断电流
- 快速响应反向电流阻断： < 0.75μs
- 集成电池电压监控开关 (SW)
- 符合汽车 ISO7637 瞬态要求，无需额外的输入 TVS 二极管（无 TVS）
- 2.90mm × 1.60mm 8 引脚 SOT-23 封装
LM74701-Q1 是一款符合汽车 AEC Q100 标准的理想二极管控制器，与外部 N 沟道 MOSFET 配合工作，可作为理想二极管利用 20mV 正向压降实现低损耗反极性保护。LM74701-Q1 适用于为 12V 汽车系统提供输入保护。3.2V 输入电压支持适用于汽车系统中严苛的冷启动要求。
该器件通过控制 MOSFET 的栅极将正向压降调节至 20mV。该调节方案可在反向电流事件中支持 MOSFET 平稳关断，并确保零直流反向电流。该器件能够快速 (< 0.75μs) 响应反向电流阻断，因此适用于在 ISO7637 脉冲测试以及电源故障和输入微短路条件下要求保持输出电压的系统。LM74701-Q1 具有独特的集成 VDS 钳位特性，能够帮助用户实现无 TVS 输入极性保护解决方案，并在受限的汽车系统中节省平均 60%（典型值）的 PCB 空间。
LM74701-Q1 控制器可提供适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器。当使能引脚处于低电平时，控制器关闭，消耗大约 1μA 的电流。
