1.6V 至 5.5V、40m?、2.5A、低 IQ、双输入理想二极管
| Vin (Min) (V) | 1.6 |
| Vin (Max) (V) | 5.5 |
| Number of channels (#) | 2 |
| Features | Gate ON/OFF control, Inrush current control, Power good signal, Reverse current blocking, Thermal shutdown |
| Iq (Typ) (mA) | 0.0013 |
| Iq (Max) (mA) | 0.0044 |
| FET | Integrated single FET |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| Rating | Catalog |
- 输入电压范围：1.6V 至 5.5V
- 最大持续电流：2.5A
- 导通电阻：40mΩ（典型值）
- 待机电流：50nA（典型值）
- 静态电流：1.32μA（典型值）
- 自动二极管切换
- 受控输出压摆率：
- 电压为 3.3V 时为 1.3ms（典型值）
- VOUT 大于 VINx 时实现反向电流阻断
- 热关断
LM66200 是一款双输入理想二极管器件，具有 1.6V 至 5.5V 的额定电压和每通道 2.5A 的最大额定电流。该器件使用 N 沟道 MOSFET 在电源之间切换，同时在第一次施加电压时提供受控的压摆率。
凭借 1.32μA（典型值）的低静态电流和 50nA（典型值）的低待机电流，LM66200 适用于其中一个输入由电池供电的系统。这些低电流延长了电池的使用寿命和续航时间。
LM66200 采用自动二极管模式，可为电压最高的电源分配优先级，并将其输送至输出端。低电平有效使能引脚 (ON) 可禁用两个通道，允许用户在无需任一电源的情况下将器件设为关断模式。
