耐辐射 QMLV、4.5V 至 14V 输入、3.5A 负载开关/电子保险丝
| FET | Internal |
| Ron (Typ) (mOhm) | 54 |
| Vin (Min) (V) | 4.5 |
| Vin (Max) (V) | 14 |
| Vabsmax_cont (V) | 16 |
| Overcurrent response | Circuit breaker |
| Fault response | Auto-retry |
- 电离辐射总剂量 (TID) 为 100krad(Si)
- 抗辐射加固保障为 100krad(Si)
- 确定了单粒子效应 (SEE)
- 单粒子锁定 (SEL)、单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 对于线性能量传递 (LET) 的抗扰度 = 75MeV-cm2/mg*
- 单粒子功能中断 (SEFI) 和单粒子瞬变 (SET) 对于 LET 的额定值 = 75MeV-cm2/mg*
- 集成式单通道 eFuse
- 输入电压范围：4.5 V 至 14 V
- 低导通电阻 (RON)，在温度为 25°C 和输入电压为 12V 时具有 60mΩ 的最大值
- 3.5A 最大持续开关电流
- 低控制输入阈值支持使用 1.2V、1.8V、2.5V 和 3.3V 逻辑电平
- 可配置上升时间（软启动）
- 反向电流保护 (RCP)
- 过压保护 (OVP)
- 内部电流限制（快速跳变）
- 热关断
- 带散热垫的陶瓷封装
- 支持军用（–55°C 至 125°C）温度范围
TPS7H2211-SP 是一个单通道 eFuse（具有附加功能的集成 FET 负载开关），可提供反向电流保护、过压保护和可配置的上升时间，以更大限度减少浪涌电流（软启动）。此器件包含一个可在 4.5V 至 14V 输入电压范围内运行的 P 沟道 MOSFET，并且支持最大 3.5A 的持续电流。
开关由可与低压控制信号直接连接的打开和关闭输入 (EN) 控制。过压保护和软启动可通过 OVP 和 SS 引脚使用很少的外部组件进行编程。TPS7H2211-SP 采用陶瓷封装，带有外露散热垫，可提高散热性能。
