30V、7 通道 NMOS 阵列低侧驱动器
| Drivers per package | 7 |
| Switching voltage (Max) (V) | 32 |
| Output voltage (Max) (V) | 30 |
| Peak output current (mA) | 500 |
| Delay time (Typ) (ns) | 250 |
| Input compatibility | CMOS, TTL |
| Vol @ lowest spec current (Typ) (mV) | 210 |
| Iout/ch (Max) (mA) | 600 |
| Iout_off (Typ) (uA) | 0.01 |
| Rating | Catalog |
- 600mA 额定漏极电流（每通道）
- 改进了 7 通道达林顿晶体管阵列的 CMOS 引脚对引脚（例如：ULN2003A）
- 功耗（极低 VOL）
- 电流为 100mA 时，VOL 低于达林顿晶体管阵列的四分之一
- 输出泄露极低，每通道小于 10nA
- 扩展工作环境温度范围：
TA = –40°C 至 +125°C - 高压输出 30V
- 与 1.8V 和 5V 微控制器和逻辑接口兼容
- 用于提供电感反冲保护的内部自振荡二极管
- 可借助输入下拉电阻器实现三态输入驱动器
- 用来消除嘈杂环境中的杂散运行的输入 RC 缓冲器
- 电感负载驱动器 应用
- ESD 保护性能超出 JESD 22 标准
- 2kV HBM，500V CDM
- 采用 16 引脚 SOIC 和 TSSOP 封装
TPL7407LA 是一款高压大电流 NMOS 晶体管阵列。这个器件包含 7 个具有高压输出的 NMOS 晶体管，这些晶体管具有针对开关电感负载的共阴极钳位二极管。单个 NMOS 通道的最大漏极电流额定值为 600mA。器件添加了新的调节和驱动电路，可在全部 GPIO 范围（1.8V 至 5V）提供最大驱动能力。这些晶体管还可以通过采用并联方式来提供更高的电流。
与双极达林顿实现相比，TPL7407LA 的主要优势在于其具有改进的效率和更低的泄漏。借助于较低的 VOL，功率耗散比传统继电器驱动器减少一半，每通道的电流低于 250mA。
