具有 70uA 栅极驱动器的 0.48V 至 42V、零 IQ 汽车理想二极管整流器控制器
| Vin (Min) (V) | 0.48 |
| Vin (Max) (V) | 42 |
| Number of channels (#) | 1 |
| Features | Automotive load dump compatibility, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection |
| Iq (Typ) (mA) | 0 |
| Iq (Max) (mA) | 0 |
| FET | External single FET |
| IGate source (Typ) (uA) | 70 |
| IGate source (Max) (uA) | 67 |
| IGate sink (Typ) (mA) | 0.07 |
| IGate pulsed (Typ) (A) | 0.1 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| IReverse (Typ) (uA) | 110 |
| VSense reverse (Typ) (mV) | 20 |
| Design support | EVM, Reference Design, Simulation Model |
| Rating | Automotive |
| VGS (Max) (V) | 2.5 |
- 符合 AEC-Q100 标准，其中包括以下内容：
- 器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境工作温度范围
- 超出人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2
- 器件充电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C4B
- 峰值输入交流电压：42V
- 零 IQ
- 适用于外部 N 通道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器
- 与肖特基二极管相比，正向压降和功耗更低
- 能够处理频率高达 300Hz 的交流信号
LM74670-Q1 是一种控制器器件，可在交流发电机的全桥或半桥整流器架构中与 N 通道 MOSFET 搭配使用。它旨在驱动外部 MOSFET 以模拟理想二极管。此方案独一无二的优势在于其并无接地基准，因此其具有零 IQ。采用全桥或半桥整流器和交流发电机的肖特基二极管可以替换为 LM74670-Q1 解决方案，以避免正向导电二极管损耗并使交流/直流转换器更加高效。
LM74670-Q1 控制器为外部 N 通道 MOSFET 提供栅极驱动，并配有快速响应内部比较器，可使 MOSFET 栅极在反极性情况下放电。此器件支持频率高达 300Hz 的交流信号。
