--- 产品参数 ---
- P1dB输出功率 27.5 dBm(典型值)
- 增益 15 dB(典型值)
- 输出IP3 40 dBm(典型值)
- 匹配输入/输出 50 Ω
- 封装 LFCSP
--- 产品详情 ---
HMC637BPM5E是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、级联分布式功率放大器,在正常工作时可实现自偏置且具有IDQ可选偏置控制和增益调整。该放大器的工作频率范围为DC至6 GHz,提供15 dB小信号增益、27.5 dBm输出功率(1 dB增益压缩)、40 dBm典型输出IP3和4 dB噪声指数,采用VDD 12 V电源电压时功耗为335 mA。HMC637BPM5E在DC至6 GHz范围内的增益平坦度(典型值±0.5 dB时)非常出色,因而极为适合军事、太空和测试设备应用。HMC637BPM5E还具有内部匹配至50 Ω的输入/输出(I/O),采用符合RoHS标准的5 mm × 5 mm LFCSP预制空腔封装,可与高容量表贴技术(SMT)装配设备兼容。
应用
- 军事与太空
- 测试仪器仪表
- P1dB输出功率:27.5 dBm(典型值)
- 增益:15 dB(典型值)
- 输出IP3:40 dBm(典型值)
- 在VDD = 12 V(335 mA,典型值)下自偏置,VGG1(针对IDQ调整)和VGG2(针对增益控制)具有可选偏置控制
- 50 Ω匹配输入/输出
- 32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装:25 mm2
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