--- 产品参数 ---
- 高 PSAT 46 dBm
- 高功率增益 20 dB
- 高 PAE 38%
- 瞬时带宽 0.3 GHz 到 6 GHz
- 电源电压 VDD = 50 V,1300 mA
--- 产品详情 ---
HMC8205BF10是一款氮化镓(GaN)宽带功率放大器,在瞬时带宽范围为0.3 GHz至6 GHz时提供45.5 dBm (35 W)功率和38%功率附加效率(PAE)。无需外部匹配便可实现全频段工作。此外,无需外部电感便可实现放大器偏置。同时,RFIN和RFOUT引脚的隔直电容集成到HMC8205BF10中。
HMC8205BF10非常适合脉冲或连续波(CW)应用,如军用干扰发射器、无线基础设施、雷达和通用放大。
HMC8205BF10放大器采用10引脚陶瓷芯片载体(LDCC)封装。
HMC8205BCHIPS是一款氮化镓(GaN)、宽带功率放大器,在瞬时带宽范围为0.4 GHz至6 GHz时提供45.5 dBm (35 W)功率和40%功率附加效率(PAE)。无需外部匹配便可实现全频段工作。无需外部电感便可实现放大器偏置。此外,RFIN和RFOUT引脚的隔直电容集成到HMC8205BCHIPS中。
HMC8205BCHIPS非常适合脉冲或连续波(CW)应用,如军用干扰发射器、无线基础设施、雷达和通用放大。
应用
- 军用干扰发射器
- 商用和军事雷达
- 针对无线基础设施的功率放大器级
- 测试与测量设备
- 高 PSAT:46 dBm
- 高功率增益:20 dB
- 高 PAE:38%
- 瞬时带宽:0.3 GHz 到 6 GHz
- 电源电压:VDD = 50 V,1300 mA
- 10 引脚 LDCC 封装
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