--- 产品参数 ---
- 高饱和输出功率 26 dBm(24% PAE)
- 高增益 24 dB(典型值)
- 高输出IP3 36 dBm(典型值)
- 高输出P1dB 25.5 dBm
- 裸片尺寸 2.19 mm × 1.05 × 0.1 mm
--- 产品详情 ---
HMC1082CHIP是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)驱动放大器,工作频率范围为5.5 GHz至18 GHz。HMC1082CHIP提供24 dB典型增益、36 dBm输出IP3和25.5 dBm输出功率(1 dB压缩),功耗仅为220 mA(采用5 V电源电压)。饱和输出功率(PSAT)为26 dBm,功率附加效率(PAE)为24%。
HMC1082CHIP是一款适合各种应用的理想驱动放大器,包括5.5 GHz至18 GHz的点对点无线电和航海雷达(9 GHz时)。HMC1082CHIP还可用于6 GHz至18 GHz EW和ECM应用。
应用
- 软件定义无线电
- 电子战(EW)
- 雷达应用
- 电子对抗(ECM)
- 高饱和输出功率:26 dBm(24% PAE)
- 高增益:24 dB(典型值)
- 高输出IP3:36 dBm(典型值)
- 高输出P1dB:25.5 dBm
- 裸片尺寸:2.19 mm × 1.05 × 0.1 mm
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