--- 产品参数 ---
- Ic(A) 150
- Vce(sat) 2.45
- Ton(us) 0.3
- Toff(us) 1.0
- Rth(j-c) 0.12
- Pc(W) 1050
- 封装 34mm
- 电路结构 EconoDual3
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
英飞凌IGBT模块FF150R17ME3G
FF150R12KS4是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块,具有沟槽结构,并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层,这个附加层被称为电场终止(fieldstop),这样结合了 PT 和 NPT 技术的优势。该技术可使静态和动态损耗减至最小,加上 IGBT3 具有更高电流密度,它还可扩展系列产品的功率范围。硅片结温可高达175℃,运行温度可达150℃。低损耗,FF150R12KS4 IGBT模块具有低EMI噪声,高可靠性,高运行结温等优点。主要应用在100KW光伏逆变器,电机驱动,电源等领域。
技术参数:
• Ic(A),Tc=80℃ 150
• Vce(sat),Max(V) 2.45
• Ton(us) 0.3
• Toff(us) 1.0
• Rth(j-c),K/W 0.12
• Pc(W) 1050
• 封装 34mm
• 电路结构 EconoDual3
性能概要:
• 容易区分DC和AC
• 优化的热阻散热器外壳
优点:
• 紧凑型模块
• 简单可靠的组装
• 理想的低电感系统设计
目标应用:
• 电机控制和驱动
• 风能系统解决方案
高能效组件和子系统的高可靠性
• 机车牵引
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