--- 产品参数 ---
- 输出功率 +15 dBm
- 宽输入功率范围 0至+10 dBm
- 相位噪声 -140 dBc/Hz
- 电源 +5V(75 mA)
- 封装 SMT
--- 产品详情 ---
HMC369LP3(E)是一款采用InGaP GaAs HBT技术的有源微型x2倍频器,提供3x3 mm无引脚QFN表贴封装。 功率输出为+4 dBm(典型值),单电源电压为+5V,在不同的输入功率、温度和电源电压下变化很小。 在输出信号电平方面,对无用基波和次谐波的抑制为30 dBc(典型值)。
100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-142 dBc/Hz,有助于用户保持良好的系统噪声性能。 HMC369LP3(E)非常适合在LO倍频器链路中使用,与传统方法相比可以减少器件数量。 HMC369LP3(E)还用于OC-192时钟恢复。 输入端应用10 GBPS数据可在输出端产生-7 dBm时钟音,杂散信号抑制为25 dB。
应用
- OC-192时钟恢复
- 微波无线电和VSAT
- 军用无线电、雷达和ECM
- 测试仪器仪表
- 输出功率: +15 dBm
- 宽输入功率范围: 0至+10 dBm
- 100 kHz SSB相位噪声: -140 dBc/Hz
- +5V(75 mA电源)
- 16 mm²无铅QFN SMT封装
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