--- 产品参数 ---
- 转换增益 12 dB
- 镜像抑制 25 dBc
- LO至RF隔离 45 dB
- 噪声系数 1.8 dB
- IP3 1 dBm
--- 产品详情 ---
HMC1113LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器,采用无铅5 x 5 mm低应力注塑塑料表贴封装。 该器件提供12 dB的小信号转换增益、1.8 dB的噪声系数和25 dBc的镜像抑制性能。 HMC1113LP5E采用LNA,后接由LO缓冲器放大器驱动的镜像抑制混频器。 该镜像抑制混频器使得LNA之后无需使用滤波器,并可消除镜像频率下的热噪声。 它具有I/Q混频器输出,所需外部90°混合型器件用于选择所需边带。 HMC1113LP5E为混合型镜像抑制混频器下变频器组件的小型替代器件,它无需线焊,可以使用表贴制造技术。
应用
- 点对点和点对多点无线电
- 军用雷达、EW和ELINT
- 卫星通信
- 海事和移动无线电
- 转换增益:12 dB
- 镜像抑制:25 dBc
- LO至RF隔离:45 dB
- 噪声系数:1.8 dB
- IP3:1 dBm
- 32引脚5 x 5 mm SMT封装
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