低边 IGBT MOSFET驱动

栅极驱动IC

型号： TF0211C-USQ TF0211E-USQ

品牌： TFSS(德律风根)

--- 产品参数 ---

驱动配置低边
驱动通道数 1
负载类型 MOSFET ; IGBT
是否隔离非隔离
电源电压 4.5V~18V
峰值灌电流 1.9A
峰值拉电流 1.8A
上升时间 15ns
下降时间 15ns
传播延迟 tpLH 35ns
传播延迟 tpHL 35ns
工作温度 -40°C~+125°C@(Ta)

--- 数据手册 ---

TF0211 AI ds r1.0.pdf

--- 产品详情 ---

TF0211单高速MOSFET和IGBT驱动器能够在低侧驱动配置中驱动1.9A的峰值电流。TF0211逻辑输入兼容标准TTL和CMOS电平(低至3.3V)，轻松与mcu接口。TF0211C提供非反相和反相输入，而TF0211E提供带EN控制的非反相输入。由于TF0211的典型快速传播时间为35ns，上升/下降时间为15ns，非常适合于高速应用，如开关模式电源和PFC电路。

TF0211采用节省空间的SOT23-5L封装，主要应用领域为：电池管理系统，DC-DC,开关电源等行业。

TF211C-USQ可以完美替代兼容FAN3111CSX. TF211E-USQ可以完美替代兼容FAN3111ESX.

重华电子

低边 IGBT MOSFET驱动

--- 产品参数 ---

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

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