--- 产品参数 ---
- 目录 栅极驱动IC
- 驱动配置 半桥
- 驱动通道数 2
- 负载类型 MOSFET/IGBT
- 是否隔离 非隔离
- 电源电压 10V-20V
- 峰值灌电流 2.3A
- 峰值拉电流 1.9A
- 上升时间 40ns
- 下降时间 20ns
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
TF2183(4)M是一种高压、高速的栅极驱动器,能够在半桥式配置中驱动n-通道MOSFETs和IGBTs。TF半导体的高压过程使TF2183(4)M的高侧在引导操作中切换到600V。TF2183(4)M逻辑输入与标准TTL和CMOS级别(降至3.3V)兼容,易于与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器,设计为最小的驱动器交叉传导。TF2183(4)M的固定内部截止时间为400ns(典型)。
TF2183M-TAH采用的是SOIC-8的封装,TF21834M-TUH采用的是SOIC-14的封装.主要应用领域为:家用空调逆变器,压缩机,电源,重型无人机(农业/林业),割草机,服务机器人,玩具/无人机,电动工具(电池供电),工业驱动类/升降梯/滚梯/伺服 步进/风机,叉车,电动自行车/电动摩托车,电动车/电池充电器,化成设备等行业
TF2183M-TAH可完美替代兼容 IRS2183STRPBF,IR2183STRPBF,2ED2183S06F。TF21834M-TUH可完美替代兼容 IRS21834STRPBF,IR21834STRPBF,2ED21834S06J。
为你推荐
-
TF21814-TUH迭代型号2024-10-24 11:02
产品型号:TF21814M-TUH 高低边:高低边 驱动通道数:2 负载类型: MOSFET/IGBT 是否隔离: 非隔离 Vin Max:600V -
TF2184-TAH迭代型号2024-10-24 10:23
产品型号:TF2184M-TAH 驱动配置: 半桥 驱动通道数:2 负载类型:MOSFET/IGBT 是否隔离: 非隔离 Vin Max: 600V -
高低边 IGBT MOSFET驱动2024-04-12 17:17
产品型号:TF0579U-NHP 驱动配置:高低边 驱动通道数:2 负载类型:MOSFET/IGBT 是否隔离:非隔离 Vin Max:100V -
TF2118-TAH高边 IGBT MOSFET驱动2024-01-03 16:57
产品型号:TF2118-TAH 驱动配置:高边 驱动通道数:1 负载类型: MOSFET/IGBT 是否隔离: 非隔离 Vin Max: 600V -
三相/半桥IGBT MOSFET驱动2023-07-04 11:38
产品型号:TF2388M-TGH/TF2366M-TGH/TF1388 驱动配置: 三相/半桥 驱动通道数:6 负载类型: MOSFET/IGBT 是否隔离: 非隔离 Vin Max: 600V/500V/250V -
三相/半桥IGBT MOSFET驱动TF23892M-TLH2023-07-04 11:14
产品型号:TF23892M-TLH 驱动配置:三相/半桥 驱动通道数:6 负载类型:MOSFET/IGBT 是否隔离:非隔离 Vin Max:600V -
三相/半桥IGBT MOSFET驱动TF21364M-TLH2023-07-04 10:59
产品型号:TF21364M-TLH 驱动配置:三相/半桥 驱动通道数:6 负载类型:MOSFET/IGBT 是否隔离:非隔离 Vin Max:600V -
三相/半桥IGBT MOSFET驱动2023-07-04 10:46
产品型号:TF2136M-TLH 驱动配置:三相/半桥 驱动通道数:6 负载类型: MOSFET/IGBT 是否隔离: 非隔离 Vin Max:600V -
高低边IGBT MOSFET驱动2023-06-29 10:58
产品型号:TF2011M-TAH 驱动配置: 高低边 驱动通道数:2 负载类型: MOSFET/IGBT 是否隔离:非隔离 Vin Max:200V -
高低边IGBT MOSFET驱动2023-06-29 10:14
产品型号:TF21064M-TUH 驱动配置:高低边 驱动通道数:2 负载类型: MOSFET/IGBT 是否隔离: 非隔离 Vin Max: 600V