ADUM4221-1是一款驱动器

隔离器采用2.5 V至6.5 V逻辑输入电压工作，可与低压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2的输入与各输出之间具有真电气隔离优势。

ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2均内置有重叠保护，且允许进行死区时间调节。死区时间引脚(DT)和GND1引脚之间的单个电阻在高端和低端输出之间的次级侧设置死区时间。

如果ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2上的内部温度超过TSD温度，内部热关断(TSD)将输出设置为低输出。因此，ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2能够可靠地控制广泛正或负开关电压范围下的绝缘栅双极晶体管(IGBT)/金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)配置的开关特性。

应用

• 开关电源
• 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动器
• 工业逆变器
• 氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)兼容

• 4 A峰值电流(<2 Ω RDSON_x)
• 逻辑输入电压：2.5 V至6.5 V
• 输出电源电压：4.5 V至35 V
• UVLO VDD1趋正阈值：2.5 V（最大值）
• 用于VDDA和VDDB趋正阈值的多个UVLO选项
  • A级：4.5 V（最大值）
  • B级：7.5 V（最大值）
  • C级：11.6 V（最大值）
• 精密时序特性
  • 传输延迟：44 ns（最大值）
• 可调的死区时间和双输入(ADuM4221)
• 可调的死区时间和单输入(ADuM4221-1)
• 无死区时间控制和双输入(ADuM4221-2)
• CMOS输入逻辑电平
• 高共模瞬变抗扰度：150 kV/µs
• 工作结温最高可达：125°C
• 默认低电平输出
• 安全和法规认证（申请中）
  • UL认证(UL 1577)
    • 5700 V rms持续1分钟
  • CSA元件验收通知5A
  • VDE合格证书
    • DIN V VDE V 0884-11: VIORM = 849 V 峰值
• 增强爬电距离宽体、16引脚SOIC_IC封装

ADUM4146NEW

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