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LTC4444-5是一款驱动器

型号: LTC4444-5

--- 产品参数 ---

  • 宽 VCC 电压 4.5V 至 13.5V
  • 自举电源电压至 114V
  • 封装 MSOP

--- 产品详情 ---

LTC®4444-5 是一款高频高电压栅极驱动器,可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。

LTC4444-5 针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源,此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。

LTC4444-5 包含欠压闭锁电路,用于在器件启动时停用外部 MOSFET。LTC4444-5 还内置了自适应贯通保护功能,用于阻止两个 MOSFET 同时传导。

如需了解该产品系列的相似驱动器,请查阅下表。

参数LTC4444-5LTC4446LTC4444
贯通保护功能
绝对最大TS100V100V100V
MOSFET 栅极驱动电压4.5V 至 13.5V7.2V 至 13.5V7.2V 至 13.5V
VCC UV+4V6.6V6.6V
VCC UV–3.5V6.15V6.15V


应用

 

  • 分布式电源架构
  • 汽车电源
  • 高密度电源模块
  • 电信系统

 

 

 

  • 自举电源电压至 114V
  • 宽 VCC 电压:4.5V 至 13.5V
  • 自适应贯通保护功能
  • 1.4A 峰值顶端栅极上拉电流
  • 1.75A 峰值底端栅极上拉电流
  • 1.5Ω 顶端栅极驱动器下拉电阻
  • 0.75Ω 底端栅极驱动器下拉电阻
  • 5ns 顶端栅极下降时间驱动 1nF 负载
  • 8ns 顶端栅极上升时间驱动 1nF 负载
  • 3ns 底端栅极下降时间驱动 1nF 负载
  • 6ns 底端栅极上升时间驱动 1nF 负载
  • 可驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET
  • 欠压闭锁功能
  • 耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装

 

 

 

 

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