--- 产品参数 ---
- 最低频率(MHz) 直流电
- 最大频率(MHz) 20,000
- 增益(分贝) 11.5
- OP1dB (dBm 29.5
- 饱和度(dBm) 29.5
- 噪声系数(分贝) 1个
- PAE (%) 56
- 电压(伏) 8个
- Idq (毫安) 130
- 包装(毫米) 0.41 x 0.54 x 0.10
--- 产品详情 ---
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产品简介
Qorvo 的 QPD2080D 是一款分立式 800 微米 pHEMT,工作频率范围为直流至 20 GHz。QPD2080D 采用 Qorvo 经验证的标准 0.25um 功率 pHEMT 生产工艺设计。该工艺采用先进技术,可在高漏极偏压工作条件下优化微波功率和效率。QPD2080D 通常在 P1dB 时提供 29.5dBm 的输出功率,在 1dB 压缩时具有 11.5dB 的增益和 56% 的功率附加效率。这种性能使 QPD2080D 适合高效应用。带有氮化硅的保护涂层提供了一定程度的环境稳健性和防刮擦保护。
产品规格
最低频率(MHz) 直流电
最大频率(MHz) 20,000
增益(分贝) 11.5
OP1dB (dBm) 29.5
饱和度(dBm) 29.5
噪声系数(分贝) 1个
PAE (%) 56
电压(伏) 8个
Idq (毫安) 130
包装(毫米) 0.41 x 0.54 x 0.10
主要特征
频率范围:DC - 20 GHz
典型输出功率 P1dB:29.5 dBm
12 GHz 时的典型增益:11.5 dB
12 GHz 时的典型 PAE:56%
12 GHz 时的典型 NF:1 dB
无过孔
技术:0.25 um GaAs pHEMT
芯片尺寸:0.41 x 0.54 x 0.10 毫米
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