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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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QPD0020 射频功率晶体管

功率 射频 射频功率晶体管 晶体管
型号： QPD0020

--- 产品参数 ---

  • 最低频率(MHz) 直流电
  • 最大频率(MHz) 6,000
  • 增益（分贝） 18.8
  • 饱和度(dBm) 45.4
  • 排水效率(%) 77.8
  • 电压（伏） 48
  • Idq （毫安） 30
  • 包装类型 QFN
  • 包装（毫米） 4.0 x 3.0

--- 产品详情 ---

QPD0020

产品简介
Qorvo 的 QPD0020 是一款无与伦比的 35 瓦分立式 GaN on SiC HEMT，可在 +48 V 电源轨上以 DC 至 6 GHz 的频率运行。它非常适合基站、雷达和通信应用，并且可以支持 CW 和脉冲操作模式。
QPD0020 可用于小型基站、微型基站和有源天线系统基站功率放大器末级的 Doherty 架构。QPD0020 还可用作宏蜂窝基站功率放大器中的驱动器。
该器件采用行业标准的 4 x 3 mm 表面贴装 QFN 封装。

 

产品规格
最低频率(MHz) 直流电
最大频率(MHz) 6,000
增益（分贝） 18.8
饱和度(dBm) 45.4
排水效率(%) 77.8
电压（伏） 48
Idq （毫安） 30
包装类型 QFN
包装（毫米） 4.0 x 3.0

 

主要特征
工作频率范围：4400 - 5000 MHz
工作漏极电压：+48 V
最大输出功率 (P SAT )：34.7 W
最大排水效率：77.8%
效率调谐 P3 dB 增益：18.8 dB

 

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