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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

7k 内容数 69w+ 浏览量 91 粉丝

QPD0030 射频功率晶体管

功率 射频 射频功率晶体管 晶体管
型号： QPD0030

--- 产品参数 ---

  • 最低频率(MHz) 直流电
  • 最大频率(MHz) 5,000
  • 增益（分贝） 22.3
  • 饱和度(dBm) 46.9
  • PAE （%） 71.5
  • 电压（伏） 48
  • Idq （毫安） 85
  • 包装类型 QFN
  • 包装（毫米） 4.0 x 3.0

--- 产品详情 ---

QPD0030 

产品简介
Qorvo 的 QPD0030 是一款 45W (P3dB) 无与伦比的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，可在 48V 电源轨上以 DC 至 5GHz 的频率运行。它非常适合基站、雷达和通信应用，并且可以支持 CW 和脉冲操作模式。
QPD0030 可用于小型基站、微型基站和有源天线系统基站功率放大器末级的 Doherty 架构。QPD0030 还可用作微蜂窝基站功率放大器中的驱动器。
该器件采用行业标准的 4 x 3 mm 表面贴装 QFN 封装。

 

产品规格
最低频率(MHz) 直流电
最大频率(MHz) 5,000
增益（分贝） 22.3
饱和度(dBm) 46.9
PAE （%） 71.5
电压（伏） 48
Idq （毫安） 85
包装类型 QFN
包装（毫米） 4.0 x 3.0

 

主要特征
频率范围：直流至 5 GHz
输出功率 (P3dB)：2.2 GHz 时为 49 W
线性增益：2.2 GHz 时典型值为 22.3 dB
典型 PAE3dB：2.2 GHz 时为 71.5%
工作电压：48V
低热阻封装
CW 和脉冲能力

 

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