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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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QPD1003 晶体管 GaN IMFET

GaN 晶体管
型号： QPD1003

--- 产品参数 ---

  • 最低频率(MHz) 1,200
  • 最大频率(MHz) 1,400
  • 增益（分贝） 19.9
  • 饱和度(dBm) 57.3
  • PAE （%） 66.7
  • 电压（伏） 50
  • Idq （毫安） 750
  • 包装类型 RF-565

--- 产品详情 ---

QPD1003

产品简介
Qorvo 的 QPD1003 是一款 500 W (P3dB) 内部匹配的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，其工作频率范围为 1.2 至 1.4 GHz，采用 50V 电源轨。该器件是 GaN IMFET，完全匹配 50 欧姆，采用行业标准气腔封装，非常适合军用和民用雷达。该设备可以支持脉冲和线性操作。

 

产品规格
最低频率(MHz) 1,200
最大频率(MHz) 1,400
增益（分贝） 19.9
饱和度(dBm) 57.3
PAE （%） 66.7
电压（伏） 50
Idq （毫安） 750
包装类型 RF-565

 

主要特征
频率范围：1.2 - 1.4 GHz
输出功率 (P3dB)：1.3 GHz 时为 540 W
线性增益：1.3 GHz 时典型值为 19.9 dB
典型 PAE3dB：1.3 GHz 时为 66.7%
工作电压：50V
低热阻封装
脉冲能力

 

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