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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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QPD1006 分立式晶体管

分立式 晶体管
型号： QPD1006

--- 产品参数 ---

  • 最低频率(MHz) 1,200
  • 最大频率(MHz) 1,400
  • 增益（分贝） 17.5
  • 饱和度(dBm) 54.9
  • 电压（伏） 45
  • Idq （毫安） 750
  • 包装类型 Ni50-CW
  • 包装（毫米） 19 x 17.68 x 4.49

--- 产品详情 ---

QPD1006

产品简介
Qorvo 的 QPD1006 是一款 450 W (P3dB) 内部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 1.2 至 1.4 GHz 和 50V 电源轨。该器件是 GaN IMFET，完全匹配 50 欧姆，采用行业标准气腔封装，非常适合军用和民用雷达。该器件可以支持脉冲和 CW 操作。

 

产品规格
最低频率(MHz) 1,200
最大频率(MHz) 1,400
增益（分贝） 17.5
饱和度(dBm) 54.9
电压（伏） 45
Idq （毫安） 750
包装类型 Ni50-CW
包装（毫米） 19 x 17.68 x 4.49

 

主要特征
频率范围：1.2 - 1.4 GHz
输出功率 (P3dB)：313 W (CW)，468 W（脉冲）在 1.3 GHz
线性增益：17.5 dB (CW)，17.8 dB（脉冲）在 1.3 GHz
典型 DEFF3dB (CW)：55% (CW)，62.2%（脉冲）在 1.3 GHz
工作电压：45V（CW），50V（脉冲）
低热阻封装
CW 和脉冲能力

 

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