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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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QPD1008 射频功率晶体管

功率 射频 射频功率晶体管 晶体管
型号： QPD1008

--- 产品参数 ---

  • 最低频率(MHz) 直流电
  • 最大频率(MHz) 3,200
  • 增益（分贝） > 17
  • 饱和度(dBm) 52
  • PAE （%） 70
  • 电压（伏） 50
  • Idq （毫安） 260
  • 包装类型 NI-360

--- 产品详情 ---

QPD1008

产品简介
Qorvo 的 QPD1008 是一款 125 W (P3dB) 宽带无可比拟的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，可在 DC 至 3.2 GHz 和 50V 电源轨范围内工作。该器件采用行业标准气腔封装，非常适用于军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该器件可以支持脉冲、CW 和线性操作。

 

产品规格
最低频率(MHz) 直流电
最大频率(MHz) 3,200
增益（分贝） > 17
饱和度(dBm) 52
PAE （%） 70
电压（伏） 50
Idq （毫安） 260
包装类型 NI-360

 

主要特征
频率范围：DC - 3.2 GHz
输出功率 (P3dB)：2 GHz 时为 162 W
线性增益：> 17 dB，典型值为 2 GHz
典型 PAE3dB：在 2 GHz 时 > 70 %
工作电压：50V
低热阻封装

 

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