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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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QPD1015L 射频功率晶体管

功率 射频 射频功率晶体管 晶体管
型号： QPD1015L

--- 产品参数 ---

  • 最低频率(MHz) 直流电
  • 最大频率(MHz) 3,700
  • 增益（分贝） 20
  • 饱和度(dBm) 48.5
  • PAE （%） 74
  • 电压（伏） 50
  • Idq （毫安） 65
  • 包装类型 NI-360

--- 产品详情 ---

QPD1015L

产品简介
Qorvo 的 QPD1015L 是一款 65 W (P3dB) 宽带无可匹敌的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，可在 DC 至 3.7 GHz 和 50V 电源轨范围内工作。该器件采用行业标准气腔封装，非常适用于军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该器件可以支持脉冲、CW 和线性操作。

 

产品规格
最低频率(MHz) 直流电
最大频率(MHz) 3,700
增益（分贝） 20
饱和度(dBm) 48.5
PAE （%） 74
电压（伏） 50
Idq （毫安） 65
包装类型 NI-360

 

主要特征
频率范围：DC - 3.7GHz
输出功率 (P3dB)：2 GHz 时为 70 W
线性增益：2 GHz 时典型值为 20 dB
典型 PAE3dB：2 GHz 时为 74%
工作电压：50V
低热阻封装

 

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