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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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QPD1018 内部匹配分立式 GaN

分立式
型号： QPD1018

--- 产品参数 ---

  • 最低频率(MHz) 2,700
  • 最大频率(MHz) 3,100
  • 增益（分贝） 17.7
  • 饱和度(dBm) 57.6
  • PAE （%） 67.9
  • 电压（伏） 50
  • Idq （毫安） 750
  • 包装类型 RF-565
  • 包装（毫米） 17.4 × 24 × 4.3

--- 产品详情 ---

QPD1018 

产品简介
Qorvo 的 QPD1018 是一款 500 W (P3dB) 内部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 2.7 至 3.1 GHz 和 50V 电源轨。该器件是 GaN IMFET，完全匹配 50 欧姆，采用行业标准气腔封装，非常适合军用雷达。

 

产品规格
最低频率(MHz) 2,700
最大频率(MHz) 3,100
增益（分贝） 17.7
饱和度(dBm) 57.6
PAE （%） 67.9
电压（伏） 50
Idq （毫安） 750
包装类型 RF-565
包装（毫米） 17.4 × 24 × 4.3

 

主要特征
频率范围：2.7 - 3.1 GHz
输出功率 (P3dB)：2.9 GHz 时为 575 W
线性增益：2.9 GHz 时典型值为 17.7 dB
典型 PAE3dB：2.9 GHz 时为 67.9%
工作电压：50V
低热阻封装
脉冲能力

 

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