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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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QPD1022 射频晶体管

射频 射频晶体管 晶体管
型号： QPD1022

--- 产品参数 ---

  • 最低频率(MHz) 直流电
  • 最大频率(MHz) 12,000
  • 增益（分贝） 24
  • PAE （%） 68.8
  • 电压（伏） 32
  • Idq （毫安） 50
  • 包装类型 QFN
  • 包装（毫米） 3.0 x 3.0

--- 产品详情 ---

QPD1022

产品简介
Qorvo 的  QPD1022 是 SiC HEMT 上的 10 W (P3dB) 分立式 GaN，工作频率范围为 DC 至 12 GHz。这种宽带设备是一种单级无与伦比的功率放大器晶体管，采用包覆成型塑料封装。QPD1022 的宽带宽使其适用于从 DC 到 12 GHz 的许多不同应用。

该器件采用行业标准的 3 x 3 mm 表面贴装 QFN 封装。无铅且符合 ROHS 标准。评估板可应要求提供。

 

产品规格
最低频率(MHz) 直流电
最大频率(MHz) 12,000
增益（分贝） 24
PAE （%） 68.8
电压（伏） 32
Idq （毫安） 50
包装类型 QFN
包装（毫米） 3.0 x 3.0

 

主要特征
频率范围：DC - 12 GHz
输出功率 (P3dB)：2 GHz 时为 11.0 W
线性增益：2 GHz 时典型值为 24.0 dB
典型 PAE3dB：2 GHz 时为 68.8%
工作电压：32V
低热阻封装
CW 和脉冲能力
3 x 3 毫米封装

 

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