--- 产品参数 ---
- 最低频率(MHz) 960
- 最大频率(MHz) 1,215
- 增益(分贝) 22.5
- 饱和度(dBm) 62.7
- PAE (%) 77.2
- 电压(伏) 65
- Idq (毫安) 1,500
- 包装类型 NI-1230(无耳)
--- 产品详情 ---
产品简介
Qorvo 的 QPD1025 是 SiC HEMT 上的 1800 W (P3dB) 分立式 GaN,工作频率范围为 0.96 至 1.215 GHz。封装内的输入预匹配可简化外部电路板匹配并节省电路板空间。该器件采用行业标准气腔封装,非常适合 IFF、航空电子设备和测试仪器。该器件可支持 CW 和脉冲操作。
产品规格
最低频率(MHz) 960
最大频率(MHz) 1,215
增益(分贝) 22.5
饱和度(dBm) 62.7
PAE (%) 77.2
电压(伏) 65
Idq (毫安) 1,500
包装类型 NI-1230(无耳)
主要特征
频率范围:0.96 至 1.215 GHz
输出功率 (P 3dB 1 ):1862 瓦
线性增益:22.5 分贝
典型 PAE 3dB 1 : 77.2 %
工作电压:65V
CW 和脉冲能力
注1:@ 1.0GHz 负载牵引
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