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QPD1025L 输入匹配晶体管

晶体管
型号： QPD1025L

--- 产品参数 ---

  • 最低频率(MHz) 960
  • 最大频率(MHz) 1,215
  • 增益（分贝） 22.5
  • 饱和度(dBm) 62.7
  • PAE （%） 77.2
  • 电压（伏） 65
  • Idq （毫安） 1,500
  • 包装类型 NI-1230（有耳）

--- 产品详情 ---

QPD1025L

产品简介
Qorvo 的 QPD1025L 是 SiC HEMT 上的 1800 W (P3dB) 分立式 GaN，工作频率范围为 0.96 至 1.215 GHz。封装内的输入预匹配可简化外部电路板匹配并节省电路板空间。该器件采用行业标准气腔封装，非常适合 IFF、航空电子设备和测试仪器。该器件可支持 CW 和脉冲操作。

 

产品规格
最低频率(MHz) 960
最大频率(MHz) 1,215
增益（分贝） 22.5
饱和度(dBm) 62.7
PAE （%） 77.2
电压（伏） 65
Idq （毫安） 1,500
包装类型 NI-1230（有耳）

 

主要特征
频率范围： .96- 1.215 GHz
输出功率 (P 3dB 1 )：1862 瓦
线性增益1：22.5 dB
典型 PAE 3dB 1 77.2 %
工作电压：65V
CW 和脉冲能力
注1：@ 1.0GHz 负载牵引

 

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