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QPD1028L 射频晶体管 GaN

型号: QPD1028L

--- 产品参数 ---

  • 最低频率(MHz) 1,200
  • 最大频率(MHz) 1,400
  • 增益(分贝) 18
  • OP1dB (dBm 58.75
  • 饱和度(dBm) 59
  • 排水效率(%) 70
  • 电压(伏) 65
  • Idq (毫安) 750
  • 包装类型 NI-780
  • 包装(毫米) 20.57 x 9.78 x 3.63

--- 产品详情 ---

QPD1028L

产品简介
Qorvo 的QPD1028L 是一款 750W 分立式 GaN on SiC HEMT,工作频率范围为 1.2 至 1.4 GHz,通常提供 59dBm 的饱和输出功率以及 18dB 的大信号增益和 70% 的漏极效率。
封装内的输入预匹配可简化外部电路板匹配并节省电路板空间。该器件采用行业标准气腔封装,非常适合雷达应用。该器件可支持 CW 和脉冲操作。

 

产品规格
最低频率(MHz) 1,200
最大频率(MHz) 1,400
增益(分贝) 18
OP1dB (dBm) 58.75
饱和度(dBm) 59
排水效率(%) 70
电压(伏) 65
Idq (毫安) 750
包装类型 NI-780
包装(毫米) 20.57 x 9.78 x 3.63

 

主要特征
工作频率范围:1.2 - 1.4 GHz
饱和输出功率 P SAT:59dBm
P SAT时的排水效率:70%
P SAT时的大信号增益:18 dB
偏压:V DS =+65V,I DQ =750mA
封装类型:NI-780
封装尺寸:20.57 x 9.78 x 3.63 毫米

 

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