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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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T1G4020036-FS 射频功率晶体管

功率 射频 射频功率晶体管 晶体管
型号： T1G4020036-FS

--- 产品参数 ---

  • 最低频率(MHz) 直流电
  • 最大频率(MHz) 3,500
  • 增益（分贝） 18.1
  • 饱和度(dBm) 2×53.0
  • 排水效率(%) 67.6
  • 电压（伏） 50
  • Idq （毫安） 520
  • 包装类型 NI-650

--- 产品详情 ---

T1G4020036-FS

产品简介
Qorvo 的 T1G4020036-FS 是一款 2 x 200 W (P3dB) 宽带输入预匹配分立式 GaN on SiC HEMT，可在直流至 3.5 GHz 和 50V 电源轨范围内工作。该器件采用 Qorvo 经过验证的 TQGaN25HV 工艺构建，该工艺采用先进的场板技术，可在高漏极偏置工作条件下优化功率和效率。就更少的放大器阵容和更低的热管理成本而言，这种优化可能会降低系统成本。

 

产品规格
最低频率(MHz) 直流电
最大频率(MHz) 3,500
增益（分贝） 18.1
饱和度(dBm) 2×53.0
排水效率(%) 67.6
电压（伏） 50
Idq （毫安） 520
包装类型 NI-650

 

主要特征
频率：直流 - 3.5 GHz
输出功率（P 3dB）1：200W
线性增益1：18.1dB
典型 PAE 3dB 1 : 67.6%
工作电压：50V
CW 和脉冲能力
注：1：@2.8 GHz 负载牵引（器件的一半）

 

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