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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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T2G6003028-FL 射频功率晶体管

功率 射频 射频功率晶体管 晶体管
型号： T2G6003028-FL

--- 产品参数 ---

  • 最低频率(MHz) 直流电
  • 最大频率(MHz) 6,000
  • 增益（分贝） 14
  • 饱和度(dBm) 45
  • PAE （%） 50
  • 电压（伏） 28
  • Idq （毫安） 200
  • 包装类型 NI-200

--- 产品详情 ---

T2G6003028-FL

产品简介
Qorvo 的 T2G6003028-FL 是一款 30 W (P3dB) 宽带输入预匹配分立式 GaN on SiC HEMT，可在直流至 6 GHz 和 28V 电源轨范围内工作。该器件采用行业标准气腔封装，非常适用于军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。

 

产品规格
最低频率(MHz) 直流电
最大频率(MHz) 6,000
增益（分贝） 14
饱和度(dBm) 45
PAE （%） 50
电压（伏） 28
Idq （毫安） 200
包装类型 NI-200

 

主要特征
频率：直流至 6 GHz
输出功率 (P3dB)：6 GHz 时为 30 W
线性增益：6 GHz 时 >14 dB
工作电压：28V
低热阻封装

 

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