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TGF2023-2-05 分立式功率 GaN

GaN 分立式 功率
型号： TGF2023-2-05

--- 产品参数 ---

  • 最低频率(MHz) 直流电
  • 最大频率(MHz) 18,000
  • 增益（分贝） 18
  • 饱和度(dBm) 43
  • PAE （%） 78.3
  • 电压（伏） 12 至 32
  • Idq （毫安） 100 到 500

--- 产品详情 ---

TGF2023-2-05

 产品简介
Qorvo 的 TGF2023-2-05 是一款分立式 5.0 mm GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 DC 至 18 GHz。
TGF2023-2-05 通常提供 43 dBm 的饱和输出功率，在 3 GHz 时具有 18 dB 的功率增益。最大功率附加效率为 78.3%，这使得 TGF2023-2-05 适合高效应用。

 

产品规格
最低频率(MHz) 直流电
最大频率(MHz) 18,000
增益（分贝） 18
饱和度(dBm) 43
PAE （%） 78.3
电压（伏） 12 至 32
Idq （毫安） 100 到 500

 

主要特征
频率范围：直流至 18 GHz
3 GHz 时标称 Psat 为 43 dBm
78.3% 最大 PAE
18 dB 标称功率增益
偏置：V D = 12 至 32 V，I DQ = 100-500 mA
芯片尺寸：0.82 x 1.44 x 0.10 毫米

 

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