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TGF2023-2-10 分立式功率 GaN

GaN 分立式
型号： TGF2023-2-10

--- 产品参数 ---

  • 最低频率(MHz) 直流电
  • 最大频率(MHz) 14,000
  • 增益（分贝） 19.8
  • 饱和度(dBm) 47.3
  • PAE （%） 69.5
  • 电压（伏） 12 至 32
  • Idq （毫安） 200 到 1,000

--- 产品详情 ---

TGF2023-2-10

产品简介
Qorvo 的 TGF2023-2-10 是一款分立式 10 mm GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 DC 至 14 GHz。
TGF2023-2-10 通常提供 47.4 dBm 的饱和输出功率，在 3 GHz 时具有 19.8 dB 的功率增益。最大功率附加效率为 69.5%，这使得 TGF2023-2-10 适合高效应用。

 

产品规格
最低频率(MHz) 直流电
最大频率(MHz) 14,000
增益（分贝） 19.8
饱和度(dBm) 47.3
PAE （%） 69.5
电压（伏） 12 至 32
Idq （毫安） 200 到 1,000

 

主要特征
频率范围：直流至 14 GHz
3 GHz 时标称 Psat 为 47.4 dBm
69.5% 最大 PAE
19.8 dB 标称功率增益
偏置：V D = 12 至 32 V，I DQ = 200 - 1000 mA
芯片尺寸：0.82 x 2.48 x 0.10 毫米

 

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