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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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TGF2819-FL 射频功率晶体管

功率 射频 射频功率晶体管 晶体管
型号： TGF2819-FL

--- 产品参数 ---

  • 最低频率(MHz) 直流电
  • 最大频率(MHz) 4,000
  • 增益（分贝） > 14
  • 饱和度(dBm) 51
  • 电压（伏） 50
  • Idq （毫安） 250
  • 包装类型 NI-360

--- 产品详情 ---

TGF2819-FL

产品简介
Qorvo 的 TGF2819-FL 是一款峰值功率大于 200 W（平均 40 W）(P3dB) 的 SiC HEMT 分立式 GaN，工作频率范围为 DC 至 4.0 GHz。该器件采用 Qorvo 经过验证的 TQGaN25HV 工艺构建，该工艺采用先进的场板技术，可在高漏极偏置工作条件下优化功率和效率。就更少的放大器阵容和更低的热管理成本而言，这种优化可能会降低系统成本。

 

产品规格
最低频率(MHz) 直流电
最大频率(MHz) 4,000
增益（分贝） > 14
饱和度(dBm) 51
电压（伏） 50
Idq （毫安） 250
包装类型 NI-360

 

主要特征
频率范围：DC - 4 GHz
输出功率 (P 3dB ) 1 : 257 W
线性增益1 : 18 dB
典型 PAE 3dB 1 : > 67.5%
工作电压：50V
CW 和脉冲能力
注 1：@ 3 GHz 负载牵引

 

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