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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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TGF2933 分立式GaN 射频晶体管

分立式 射频 射频晶体管
型号： TGF2933

--- 产品参数 ---

  • 最低频率(MHz) 直流电
  • 最大频率(MHz) 25,000
  • 增益（分贝） 15
  • 饱和度(dBm) 38.6
  • PAE （%） 57
  • 电压（伏） 28
  • Idq （毫安） 80
  • 包装（毫米） 0.83 x 0.55 x 0.10

--- 产品详情 ---

TGF2933 

产品简介
Qorvo 的 TGF2933 是一款 7 W (P3dB) 分立式 GaN on SiC HEMT，可在 DC 至 25 GHz 和 28 V 电源下工作。该器件采用 Qorvo 成熟的 QGaN15 工艺构建。该器件可以支持脉冲、CW 和线性操作。

 

产品规格
最低频率(MHz) 直流电
最大频率(MHz) 25,000
增益（分贝） 15
饱和度(dBm) 38.6
PAE （%） 57
电压（伏） 28
Idq （毫安） 80
包装（毫米） 0.83 x 0.55 x 0.10

 

主要特征
频率范围：DC - 25 GHz
输出功率 (P3dB)：10 GHz 时为 7.2 W
线性增益：10 GHz 时典型值为 15 dB
典型 PAE3dB：10 GHz 时为 57%
10 GHz 时的典型 NF：1.3 dB
工作电压：28V
CW 和脉冲能力
0.83 x 0.55 x 0.10 芯片

 

相关型号
TGF2933
TGF2954
TGF2965-SM
TGF2977-SM
TGF2978-SM
TGF2979-SM
TGF3015-SM
TGF3020-SM
TGF3021-SM
TQL9066
TQP3M9040
TQP3M9041

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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