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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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TGF2954 分立式功率 GaN

GaN 分立式
型号： TGF2954

--- 产品参数 ---

  • 最低频率(MHz) 直流电
  • 最大频率(MHz) 12,000
  • 增益（分贝） 19.6
  • 饱和度(dBm) 44.5
  • PAE （%） 71.6
  • 电压（伏） 32
  • Idq （毫安） 100

--- 产品详情 ---

TGF2954

产品简介
Qorvo 的 TGF2954 是一款分立式 5.04 mm GaN on SiC HEMT，工作频率为 DC-12 GHz。
TGF2954 通常提供 44.5 dBm 的饱和输出功率，在 3 GHz 时具有 19.5 dB 的功率增益。最大功率附加效率为 71.5%，这使得 TGF2954 适合高效应用。

 

产品规格
最低频率(MHz) 直流电
最大频率(MHz) 12,000
增益（分贝） 19.6
饱和度(dBm) 44.5
PAE （%） 71.6
电压（伏） 32
Idq （毫安） 100

 

主要特征
频率范围：DC - 12 GHz
3GHz 时标称 Psat 为 44.5dBm
3 GHz 时最大 PAE 为 71.6%
3 GHz 时标称功率增益为 19.6dB
偏置：Vd = 32V，Idq = 100mA
芯片尺寸：0.82 x 1.68 x 0.10 毫米

 

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