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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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TGF2979-SM 分立式 GaN 射频晶体管

射频 射频晶体管 晶体管
型号： TGF2979-SM

--- 产品参数 ---

  • 最低频率(MHz) 直流电
  • 最大频率(MHz) 12,000
  • 增益（分贝） 11
  • 饱和度(dBm) 43.4
  • PAE （%） 45
  • 电压（伏） 32
  • Idq （毫安） 150
  • 包装类型 QFN
  • 包装（毫米） 4×3

--- 产品详情 ---

TGF2979-SM

产品简介
Qorvo 的 TGF2979-SM 是一款 25 W (P3dB) 宽带无可比拟的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，可在 DC 至 12 GHz 和 32V 电源轨范围内工作。该器件采用行业标准 4 x 3 mm QFN 封装，非常适合军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。

 

产品规格
最低频率(MHz) 直流电
最大频率(MHz) 12,000
增益（分贝） 11
饱和度(dBm) 43.4
PAE （%） 45
电压（伏） 32
Idq （毫安） 150
包装类型 QFN
包装（毫米） 4×3

 

主要特征
频率范围：DC - 12 GHz
输出功率 (P3dB)：9.4 GHz 时为 22 W
线性增益：9.4 GHz 时典型值为 11 dB
典型 PAE3dB：9.4 GHz 时为 45%
工作电压：32V
低热阻封装
CW 和脉冲能力
4 x 3 毫米封装

 

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