Qorvo 的 UF3C065040T3S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共栅 SiC FET 产品将其高性能第 3 代 SiC JFET 与 FET 优化 MOSFET 共同封装，以生产当今市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该系列不仅具有超低栅极电荷，而且具有同类额定值器件中最好的反向恢复特性。这些器件采用 TO-220-3L 封装，与推荐的 RC 缓冲器一起使用时非常适合开关电感负载，以及任何需要标准栅极驱动的应用。
主要特征
- 导通电阻 (RDS(on))：42 mohm（典型值）
- 最高工作温度：175 °C
- 优秀的反向恢复
- 低栅极电荷
- 低本征电容
- ESD 保护，HBM 2 级
VDS 最大值(V) | 650 |
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) | 42 |
内径最大值(A) | 54 |
一代 | 第 3 代 |
Tj 最大值(°C) | 175 |
汽车资质 | 是的 |
包装类型 | TO-220-3L |
UJ3C065080K3S
UJ3C065080T3S
UJ3C120040K3S
UJ3C120070K3S
UJ3C120070K4S
UJ3C120080K3S
UJ3C120150K3S
UJ4C075018K3S
UJ4C075018K4S
UJ4C075023B7S
UJ4C075023K3S
UJ4C075023K4S
UJ4C075033B7S
UJ4C075033K3S
UJ4C075033K4S
UJ4C075044B7S
UJ4C075044K3S
UJ4C075044K4S
UJ4C075060B7S
UJ4C075060K3S
UJ4C075060K4S
UJ4SC075005L8S
UJ4SC075006K4S
UJ4SC075008L8S
UJ4SC075009B7S
UJ4SC075009K4S
UJ4SC075011B7S
UJ4SC075011K4S
UJ4SC075018B7S
UJ4SC075018L8S
