--- 产品参数 ---
- VDS 最大值(V) 650
- 内径最大值(A) 31
- 封装 TO-247-3L
--- 产品详情 ---
Qorvo 的 UF3C065080K3S 650 V、80 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于独特的级联电路配置,其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器,因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MOSFET 时需要最少的重新设计。该器件采用 TO-247-3L 封装,具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,与推荐的 RC 缓冲器一起使用时非常适合开关电感负载,以及任何需要标准栅极驱动的应用。
VDS 最大值(V) | 650 |
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) | 80 |
内径最大值(A) | 31 |
一代 | 第 3 代 |
Tj 最大值(°C) | 175 |
汽车资质 | 是的 |
包装类型 | TO-247-3L |
UF3C065030B3
UF3C065030K3S
UF3C065030K4S
UF3C065030T3S
UF3C065040B3
UF3C065040K3S
UF3C065040K4S
UF3C065040T3S
UF3C065080B3
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UF3C065080K4S
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