Qorvo 的 UF3C120400B7S SiC FET 器件基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许真正“直接替代” Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件。该器件采用 D2PAK-7L 封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关电感负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
主要特征
- 导通电阻 RDS(on)：410 mohm（典型值）
- 工作温度：175 °C（最高）
- 出色的反向恢复：Qrr = 51 nC
- 低体二极管 VFSD：1.5 V
- 低栅极电荷：QG = 22.5 nC
- 低本征电容
- ESD 保护：HBM 2 级和 CDM C3 级
VDS 最大值(V) | 1,200 |
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) | 410 |
内径最大值(A) | 7.6 |
一代 | 第 3 代 |
Tj 最大值(°C) | 175 |
汽车资质 | 是的 |
包装类型 | D2PAK-7L |
UF3C065030B3
UF3C065030K3S
UF3C065030K4S
UF3C065030T3S
UF3C065040B3
UF3C065040K3S
UF3C065040K4S
UF3C065040T3S
UF3C065080B3
UF3C065080B7S
UF3C065080K3S
UF3C065080K4S
UF3C065080T3S
UF3C120040K3S
UF3C120040K4S
UF3C120080B7S
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UF3C120080K4S
UF3C120150B7S
UF3C120150K4S
UF3C120400B7S
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UF3C170400B7S
UF3C170400K3S
UF3SC065007K4S
UF3SC065030B7S
UF3SC065040B7S
UF3SC120009K4S
UF3SC120016K3S
UF3SC120016K4S
UF3SC120040B7S
UF4C120053K3S
UF4C120053K4S
UF4C120070K3S
UF4C120070K4S
UF4SC120023K4S
UF4SC120030K4S
UJ3C065030B3
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