--- 产品参数 ---
- VDS 最大值(V) 650
- 内径最大值(A) 31
- 封装 TO-220-3L
--- 产品详情 ---
Qorvo 的 UJ3C065080T3S 是一款 650 V、80 mohm RDS(on) SiC FET 产品,将其高性能第 3 代 SiC JFET 与 FET 优化 MOSFET 共同封装,以生产当今市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该系列不仅具有超低栅极电荷,而且具有同类额定值器件中最好的反向恢复特性。这些器件采用 TO-220-3L 封装,非常适合开关电感负载,以及任何需要标准栅极驱动的应用。
主要特征
- 导通电阻 (RDS(on)):80 mohm(典型值)
- 最高工作温度:175 °C
- 优秀的反向恢复
- 低栅极电荷
- 低本征电容
- ESD 保护,HBM 2 级
VDS 最大值(V) | 650 |
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) | 80 |
内径最大值(A) | 31 |
一代 | 第 3 代 |
Tj 最大值(°C) | 175 |
汽车资质 | 是的 |
包装类型 | TO-220-3L |
UF3C065030B3
UF3C065030K3S
UF3C065030K4S
UF3C065030T3S
UF3C065040B3
UF3C065040K3S
UF3C065040K4S
UF3C065040T3S
UF3C065080B3
UF3C065080B7S
UF3C065080K3S
UF3C065080K4S
UF3C065080T3S
UF3C120040K3S
UF3C120040K4S
UF3C120080B7S
UF3C120080K3S
UF3C120080K4S
UF3C120150B7S
UF3C120150K4S
UF3C120400B7S
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UF3C170400B7S
UF3C170400K3S
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UF4SC120023K4S
UF4SC120030K4S
UJ3C065030B3
UJ3C065030K3S
UJ3C065030T3S
UJ3C065080B3
UJ3C065080K3S
UJ3C065080T3S
UJ3C120040K3S
UJ3C120070K3S
UJ3C120070K4S
UJ3C120080K3S
UJ3C120150K3S
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UJ4C075018K4S
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UJ4C075033K3S
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UJ4C075044K3S
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UJ4C075060B7S
UJ4C075060K3S
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UJ4SC075006K4S
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